纳微推出第五代碳化硅沟槽辅助平面MOSFET技术

盖世汽车讯 据外媒报道，GaNFast™氮化镓（GaN）和GeneSiC™碳化硅（SiC）功率半导体公司纳微半导体（Navitas Semiconductor）宣布推出其第五代GeneSiC技术平台。该高压（HV）碳化硅沟槽辅助平面（Trench-Assisted Planar，TAP）MOSFET技术较前几代产品实现了显著的技术飞跃，并将提供1200伏MOSFET产品线。它具备领先的性能、稳定性和质量，能够为电动汽车、数据中心和可再生能源系统等高功率应用提供更快、更低温、更可靠的功率转换。

图片来源：纳微半导体

第五代MOSFET平台采用纳微迄今为止最紧凑的TAP架构，结合了平面栅极的坚固性和源区沟槽结构带来的同类最佳性能指标，同时提高了高压电力电子器件的效率和使用寿命可靠性。